Investigation of Wet-Chemically Etched GaAs(211)B Surface Before Cadmium Telluride Growth
The 2013 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, Chicago, Amerika Birleşik Devletleri, 30 Eylül - 03 Ekim 2013, ss.125-128, (Özet Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
- Basıldığı Şehir: Chicago
- Basıldığı Ülke: Amerika Birleşik Devletleri
- Sayfa Sayıları: ss.125-128
- Hacettepe Üniversitesi Adresli: Hayır