Influence of the nitrogen concentration on the electrical characteristic of hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H) based Schottky diodes
Atıf İçin Kopyala
AY İ. , Tolunay H.
Turkish Journal of Physics, cilt.34, sa.2, ss.83-96, 2010 (SCI Expanded İndekslerine Giren Dergi)
-
Cilt numarası:
34
Konu:
2
-
Basım Tarihi:
2010
-
Doi Numarası:
10.3906/fiz-0908-42
-
Dergi Adı:
Turkish Journal of Physics
-
Sayfa Sayıları:
ss.83-96