Influence of the nitrogen concentration on the electrical characteristic of hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H) based Schottky diodes


AY İ. , Tolunay H.

Turkish Journal of Physics, cilt.34, sa.2, ss.83-96, 2010 (SCI Expanded İndekslerine Giren Dergi) identifier

  • Cilt numarası: 34 Konu: 2
  • Basım Tarihi: 2010
  • Doi Numarası: 10.3906/fiz-0908-42
  • Dergi Adı: Turkish Journal of Physics
  • Sayfa Sayıları: ss.83-96