Influence of the nitrogen concentration on the electrical characteristic of hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H) based Schottky diodes

Creative Commons License

AY İ., Tolunay H.

Turkish Journal of Physics, cilt.34, sa.2, ss.83-96, 2010 (SCI-Expanded, Scopus, TRDizin)

  • Yayın Türü: Makale / Tam Makale
  • Cilt numarası: 34 Sayı: 2
  • Basım Tarihi: 2010
  • Doi Numarası: 10.3906/fiz-0908-42
  • Dergi Adı: Turkish Journal of Physics
  • Derginin Tarandığı İndeksler: Science Citation Index Expanded (SCI-EXPANDED), Scopus, TR DİZİN (ULAKBİM)
  • Sayfa Sayıları: ss.83-96
  • Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
  • Hacettepe Üniversitesi Adresli: Evet